По данным пяти источников, Samsung Electronics планирует использовать технологию производства чипов, созданную конкурентом SK Hynix. Это связано с желанием мирового лидера в производстве чипов памяти догнать конкурентов в гонке за производством высокотехнологичных чипов, используемых для работы искусственного интеллекта, передает Bizmedia.kz.
Спрос на чипы памяти с высокой пропускной способностью (HBM) резко возрос в связи с увеличением популярности генеративного искусственного интеллекта. Однако Samsung (KS: 005930), в отличие от SK Hynix и Micron Technology (NASDAQ: MU), пока не заключила сделок с лидером в области чипов для искусственного интеллекта Nvidia (NASDAQ: NVDA) на поставку новейших HBM-чипов.
По мнению аналитиков и экспертов отрасли, одной из причин отставания Samsung является выбор компанией технологии производства чипов под названием «непроводящая пленка» (NCF), которая вызывает некоторые технологические проблемы. В то время как Hynix перешла на метод массового литья под давлением (MR-MUF), чтобы устранить недостатки NCF.
Однако, недавно Samsung разместила заказы на закупку оборудования для производства микросхем, предназначенных для работы с методом MUF, как утверждают три источника, имеющие прямое отношение к этому вопросу.
«Samsung должна была предпринять меры для увеличения объемов производства HBM… Принятие технологии MUF стало своего рода понижением самолюбия для Samsung, так как в итоге она последовала технологии, впервые примененной SK Hynix», — поделился один из источников.
Samsung утверждает, что их технология NCF является «оптимальным решением» для продуктов HBM и будет использоваться в новых чипах HBM3E.
«Мы продолжаем работу над производством продуктов HBM3E в соответствии с планом», — отметила Samsung в ответ на запросы Reuters относительно статьи.
После публикации статьи Samsung опубликовала заявление, в котором отрицает «слухи о том, что Samsung собирается применять MR-MUF в производстве HBM».
HBM3 и HBM3E представляют собой последние версии чипов памяти с высокой пропускной способностью, которые поставляются в комплекте с основными микропроцессорными чипами для обработки огромных объемов данных в области генеративного искусственного интеллекта.
Согласно нескольким аналитикам, Samsung имеет около 10-20% долю рынка по выпуску чипов HBM3, что уступает SK Hynix с их показателем 60-70% выпуска. Один из источников утверждает, что Samsung ведет переговоры с различными производителями материалов, включая японскую компанию Nagase, для обеспечения поставок материалов MUF.
Однако массовое производство высококлассных чипов с применением MUF, вероятно, не будет готово раньше следующего года, так как Samsung должна провести дополнительные тесты, уточнил источник.
Три из упомянутых источников также утверждают, что Samsung планирует использовать как NCF, так и MUF-технологии в своем новейшем чипе HBM. Все источники предоставили информацию конфиденциально, поскольку она не является общедоступной. Компании Nvidia и Nagase отказались давать комментарии.
Каждый шаг Samsung в использовании MUF подчеркивает увеличивающееся давление, с которым она сталкивается в гонке за чипами искусственного интеллекта.
Рынок чипов HBM, по прогнозам исследовательской компании TrendForce, в этом году увеличится более чем в два раза, достигнув почти 9 миллиардов долларов из-за роста спроса, связанного с искусственным интеллектом.
NCF против MUF
Производители микросхем широко применяют технологию создания микросхем из непроводящей пленки для сжатия нескольких слоев микросхем в компактные чипсеты памяти с высокой пропускной способностью.
Использование термически сжатой тонкой пленки позволяет минимизировать пространство между микросхемами.
Однако возникают проблемы с клеящимися материалами, усложняющие производство при добавлении новых слоев. Samsung представила чип HBM3E с 12 слоями. Чипмейкеры ищут альтернативы для решения этих проблем.
Компания SK Hynix первой внедрила технологию массового литья под давлением и стала основным поставщиком чипов HBM3 для Nvidia. По прогнозам аналитика KB Securities Джеффа Кима, доля SK Hynix на рынке HBM3 и продуктов HBM для Nvidia в этом году превысит 80%.
Корпорация Micron вступила в гонку за высокопроизводительными чипами памяти в прошлом месяце, объявив о запуске своего новейшего чипа HBM3E, который Nvidia планирует использовать для улучшения чипов H200 Tensor, начиная их поставки во втором квартале.
По информации одного из четырех источников, а также другого человека, знакомого с дискуссией, чипы Samsung HBM3 еще не прошли квалификацию Nvidia для заключения сделок по поставкам.
Неудачи компании в гонке за чипами искусственного интеллекта не остались незамеченными инвесторами: ее акции в этом году упали на 7%, отстающие от SK Hynix и Micron, акции которых, соответственно, выросли на 17% и 14%.
В среду акции SK Hynix снизились на 2 %, в то время как акции Samsung выросли на 1 %, опередив рост широкого рынка на 0,4 %.
